我們這里所說的溴化鉀是指具有較低紅外吸收系數(shù)的單晶。在ＫＢｒ原料中，適量添加ＫＢｒ３，可利用ＫＢｒ３在熱分解過程中產(chǎn)生的游離溴去除ＫＢｒ原料中的含氧基團，純化原料。用提拉法在大氣環(huán)境中也能生長出低吸收系數(shù)的大尺寸優(yōu)質(zhì)ＫＢｒ單晶。采用提拉法生長KBr單晶 ,設(shè)計合理的溫場 ,探索*的生長工藝條件 ,可以生長出了具有高透過、低吸收和光學(xué)均勻性高的Φ1 2 0× 1 2 0mm大尺寸的單晶 ,同時還應(yīng)該知道影響其光學(xué)性能的各種因素 ,以及提高透過、消除吸收峰的各種方法。其紅外吸收系數(shù)在１×１０ˉ?ｃｍˉ¹數(shù)量級。ZUI高級ＫＢｒ單晶透過波段寬(03～34ｕｍ),本征吸收系數(shù)β106μｍ≈20×10-7/ｃｍˉ¹比用普通方法生長的ＫＢｒ單晶的吸收系數(shù)降低２個數(shù)量級。這些都必須通過高壓釜經(jīng)過連續(xù)保溫才能生長出合格的溴化鉀單晶。

溴化鉀是ZUI常用的窗片材料。溴化鉀晶片硬度小，易加工，價格便宜。隨著溴化鉀晶片使用次數(shù)的增多，晶片表面劃痕越來越多。溴化鉀晶片表面越容易被有機物污染。如果測試的有機液體含有少量的水，水會溶解晶片表面的溴化鉀，使晶片表面下凹，導(dǎo)致以后測試時液膜中出現(xiàn)氣泡或液膜厚度不易掌握。當出現(xiàn)以上情況時，應(yīng)將溴化鉀晶片拋光。

現(xiàn)有的拋光方法有用拋光機拋光，或用拋光附件拋光。但無論哪種方法都無法有效拋光晶片表面，拋光精度差，導(dǎo)致紅外波段的透過率較低，且對溴化鉀晶片表面損傷較大。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有的溴化鉀晶片拋光方法無法實現(xiàn)有效拋光，影響紅外波段的透過率，且會損傷晶片表面，為此提供一種溴化鉀晶片的拋光方法。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：溴化鉀晶片的拋光方法，它包括以下步驟：（1）、將溴化鉀晶片置于密閉錐形容器內(nèi)，將密閉錐形容器抽真空；（2）、將酒精加熱至50-60℃后放入密閉容器內(nèi)，對密閉容器內(nèi)充入干燥氮氣，使其充滿密閉容器；（3）、將密閉錐形容器放入離心機內(nèi)進行離心10-20min，離心機轉(zhuǎn)速為200-250r/min；（4）、打開密閉錐形容器，用滴管向密閉錐形容器內(nèi)的溴化鉀晶片表面滴加乙MI，再次封閉密閉錐形容器并放入離心機內(nèi)進行離心6-10min，離心機轉(zhuǎn)速為300-350r/min；（5）、取出密閉錐形容器內(nèi)的溴化鉀晶片，用干凈絨布擦干溴化鉀晶片表面。

本方法的有益效果是將溴化鉀晶片置于真空環(huán)境中，利用加熱后的酒精的揮發(fā)性在氮氣的壓迫下附著在溴化鉀晶片表面，在離心機的高速旋轉(zhuǎn)下霧化的酒精均勻附著在溴化鉀晶片表面，逐漸溶解氣表面的有機物，再通入乙MI，在離心機的高速旋轉(zhuǎn)下進行深程度的清潔，使其表面恢復(fù)光潔，后取出擦干的溴化鉀晶片即去除了表面的有機物和劃痕，又ZUI大程度的降低了被酒精和乙MI溶解的量，延長溴化鉀的使用壽命。

具體實施方式

下面結(jié)合實施例對本方法做進一步說明。

實施例1：溴化鉀晶片的拋光方法，它包括以下步驟：（1）、將溴化鉀晶片置于密閉錐形容器內(nèi)，將密閉錐形容器抽真空；（2）、將酒精加熱至50℃后放入密閉容器內(nèi)，對密閉容器內(nèi)充入干燥氮氣，使其充滿密閉容器；（3）、將密閉錐形容器放入離心機內(nèi)進行離心10min，離心機轉(zhuǎn)速為200r/min；（4）、打開密閉錐形容器，用滴管向密閉錐形容器內(nèi)的溴化鉀晶片表面滴加乙MI，再次封閉密閉錐形容器并放入離心機內(nèi)進行離心6min，離心機轉(zhuǎn)速為300r/min；（5）、取出密閉錐形容器內(nèi)的溴化鉀晶片，用干凈絨布擦干溴化鉀晶片表面。

實施例2：溴化鉀晶片的拋光方法，它包括以下步驟：（1）、將溴化鉀晶片置于密閉錐形容器內(nèi)，將密閉錐形容器抽真空；（2）、將JUE對酒精加熱至55℃后放入密閉容器內(nèi)，對密閉容器內(nèi)充入干燥氮氣，使其充滿密閉容器；（3）、將密閉錐形容器放入離心機內(nèi)進行離心15min，離心機轉(zhuǎn)速為225r/min；（4）、打開密閉錐形容器，用滴管向密閉錐形容器內(nèi)的溴化鉀晶片表面滴加乙MI，再次封閉密閉錐形容器并放入離心機內(nèi)進行離心8min，離心機轉(zhuǎn)速為325r/min；（5）、取出密閉錐形容器內(nèi)的溴化鉀晶片，用干凈絨布擦干溴化鉀晶片表面。

實施例3：溴化鉀晶片的拋光方法，它包括以下步驟：（1）、將溴化鉀晶片置于密閉錐形容器內(nèi)，將密閉錐形容器抽真空；（2）、將酒精加熱至60℃后放入密閉容器內(nèi)，對密閉容器內(nèi)充入干燥氮氣，使其充滿密閉容器；（3）、將密閉錐形容器放入離心機內(nèi)進行離心20min，離心機轉(zhuǎn)速為250r/min；（4）、打開密閉錐形容器，用滴管向密閉錐形容器內(nèi)的溴化鉀晶片表面滴加乙MI，再次封閉密閉錐形容器并放入離心機內(nèi)進行離心10min，離心機轉(zhuǎn)速為350r/min；（5）、取出密閉錐形容器內(nèi)的溴化鉀晶片，用干凈絨布擦干溴化鉀晶片表面。

本方法的構(gòu)思是將溴化鉀晶片置于真空中隔絕外部環(huán)境的干擾，將酒精也就是*和鎂反應(yīng)得到的100%乙醇加熱至50-60℃，加速其分子運動，將酒精置于密閉錐形容器內(nèi)，利用其揮發(fā)性逐漸揮發(fā)成氣體，由于其不含水分，所以不會對溴化鉀晶片造成大的損傷。通入氮氣是為了將揮發(fā)后的酒精氣體約束在溴化鉀晶片表面，再將密閉錐形容器放入離心機中高速旋轉(zhuǎn)，利用密閉錐形容器的結(jié)構(gòu)特點使得氮氣在其內(nèi)發(fā)生回旋，利用離心力使得酒精氣體在溴化鉀晶片表面旋轉(zhuǎn)摩擦，溶解剝離其表面的有機液體，接著向溴化鉀晶片滴加乙MI，高速旋轉(zhuǎn)離心機，進一步增強去污效果，經(jīng)過這幾步處理后的溴化鉀晶片即去除了表面殘留的有機液體，修復(fù)表面的劃痕，恢復(fù)其透光率，又控制了酒精和乙MI對其表面的腐蝕程度，延長了溴化鉀晶片的單片使用壽命。